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    公开号:WO1989009496A1
    申请号:PCT/DE1989/000155
    申请日:1989-03-10
    公开日:1989-10-05
    发明作者:Hans Werner PÖTZLBERGER；Konrad Kastner；Brigitta HÖSSELBARTH
    申请人:Siemens Aktiengesellschaft；
    IPC主号:H05B3-00
    专利说明:
    [0001] Elektrisches Widerstandsmaterial für eiektrothermische Wandler in Dünnschichttechnik.
    [0002] Die Erfindung betrifft elektrisches Widerstandsmaterial für ele trothermische Wandler in Dünnschichttechnik, insbesondere für die Druckköpfe von Thermodruckern, enthaltend hochschmelzende Übergangsmetall/Nichtmetallverbindungen, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
    [0003] Eiektrothermische Wandler oder auch Thermcwandler nutzen die bei der elektrischen Belastung eines Leiters entstehende Joule'sehe Wärme zur Erzeugung von örtlich und zeitlich genau definierter Wärme. Thermowandler sind schnell ansprechbar, gut zu steuern und können daher überall dort Anwendung finσen, wo relativ geringe Heizleistung erforderlich ist. Weitverbreitet ist die Anwendung des Thermowandlerprinzips bei verschiedenen Druckverfahren, zum Beispiel Thermodruckverfahren oder dem Tintenstrahldruckverfahren "Bubble-Jet". Bei diesen Verfahren werden die zu druckenden Zeichen aufgerastert und aus mehreren sogenannten Dots zusammengesetzt, wobei diese Dots aus Thermowandlern bestehen. Bei elektrischer Anstεuerung eines solchen Dots wird dieser von Strom durchflössen und erwärmt sich dadurch. Diese selek tive Erwärmung wird für den Druckvorgang ausgenutzt. Bei einem wärmeempfindlichen Papier wird die Farbe direkt auf bzw. in dem Papier erzeugt. Auch ist es möglich, ein wärmeempfindliches Farbband zu verwenden, bei dem durch die lokale Erwärmung eine Wachsschicht aufgeschmolzen und auf das Papier übertragen wird, und wobei ein Farbstoff in der Wachsschicht enthalten ist. Beim Bubble-Jet-Druckverfahren wird ein Bestandteil der Tinte durch Wärmezufuhr verdampft. Die dabei entstehenden Gasblasen bewirken eine Übertragung der Tinte auf das zu bedruckende Medium.
    [0004] Um eine ansprechende Druckgeschwindigkeit des Thermodruckkopfes zu erzielen, müssen an das Widerstandsmaterial extreme thermische und elektrische Anforderungen gestellt werden. Ständige Temperaturwechsel und eine hohe Frequenz der "Heizstrom-Impulse" führen sowohl zu frühzeitiger mechanischer Ermüdung des Materials, als auch zu einer Verschlechterung αer elektrischen Werte.
    [0005] Ein brauchbares Widerstaπdsmaterial für Thermowandler in Thermodruckköpfεn muß einen hohen spezfischen widerstand aufweisen. Da die Ansteuerung des Thermowandlers über eine Integrierte Schaltung erfolgt, muß die Stromstärke begrenzt werden, um den Schaltkreis (IC) nicht zu überlasten. Außerdem muß das WiderStandsmaterial über die ganze Lebensdauer des Thermowandlers einen nahezu konstanten Widerstand aufweisen, da die Spannung in der integrierten Schaltung konstant ist und sich sonst ein großer Effekt auf die Druckqualität des Thermodruckers ergeben würde. Weitere Anforderungen werden an die Verarbeitbarkeit der Widerstandsmaterialien gestellt. Diese müssen in Dünnfilmtechnik auszuführen sein und mit den anderen Verfahren bzw. Materialien zum Aufbau des Thermowandlerelements kompatibel sein.
    [0006] Bekannt sind Widerstandsmaterialen auf der Basis der Nitride, Boride und Suizide von Tantal, Zirkon, Hafnium, Chrom und andere Zweistoffsysteme. Diese weisen einen spezifischen elektrischen Widerstand zwischen 250 und 400 μ Ω cm auf. Um bei diesem Widerstandswert eine ausreichende Heizleistung zu erzielen, können die Dots bzw. Thermowandlerelemente nicht flächig ausgeführt werden. Die zu erhitzende Fläche wird von mäanderförmigen Strukturen aus Widerstandsmaterial angenähert, um einen niedrigeren Leiterbahnquerschnitt und somit einen höheren Flächenwiderstand zu erzielen.
    [0007] Nakamori et al stellen auf einem Beitrag zu IEEE Transaction on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, Vol. CHMT-10, Nr. 3, September 1987, Seite 446, ein neues Widerstandsmaterial für Thermowandler vor, welches aus einem Tantal/Silizium/Kohlenstoff-System besteht. Schichten aus diesem Material werden durch Sputtern erzeugt. Sie weisen zwar einen hohen Widerstandswert auf, jedoch ist dieser äußerst stark von dem Kohlenstoffgehalt der erzeugten Schicht abhängig. Auch andere Eigenschaften dieses Materials sind stark vom Kohlenstoffgehalt abhängig, der allerdings nur schwierig und nur in Verbincung mit dem- Tantal gehalt einzustellen ist.
    [0008] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Widerstandsmaterial für Dünnschicht-Thermowandler anzugeben, welches einen hohen Widerstand aufweist, der auch über die gesamte Lebensdauer des Thermowandlers nahezu konstant bleibt. Dabei soll das Material einfach und reproduzierbar herzustellen sein, gut zu verarbeiten und mit den anderen Verfahrenstechniken kompatibel sein.
    [0009] Diese Aufgabe wird durch ein elektrisches Widerstandsmaterial der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die durch Kathodenzerstäuben erzeugten Schichten aus vier oder fünf Komponenten bestehen und mindestens zwei Elemente, ausgewählt aus den Übergangsmetalleπ der vierten bis sechsten Neben-gruppe und mindestens zwei nichtmetallische Elemente der dritten bis fünften Hauptgruppe enthalten.
    [0010] Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Gedankens umfaßt ein MehrstoffSystem aus vier Komponenten. Bevorzugt enthält es ein Metall aus der vierten Nebengruppe (Titan, Zircon und Hafnium), während ein zweites und eventuell auch noch ein weiteres Metall aus der fünften und sechsten Nebengruppe (Chrom, Molybdän, Wolfram, Vanadium, Niob und Tantal) ausgewählt sind. Als Nichtmetallkomponenten sind vor allem diejenigen Hauptgrup-penelemente geeignet, die mit den erwähnten Übergangsmetallen hochschmelzende binäre Verbindungen ergeben. Diese auch als "refractory-materials" bekannten Verbindungen sind vor allem die Boride, Suizide, Nitride und Carbide.
    [0011] Erfiπdungsgemäß werden die Schichten durch Sputtern von Mischtargets erzeugt, wobei die Mischtargets aus zumindest zwei der binären Verbindungen hergestellt sind. Es wurde nun gefunden, daß in solchen Mehrstoffsystemen der elektrische Widerstand ganz wesentlich vom Sauerstoffgehalt und insbesondere auch vom Stickstoffgehalt der so erzeugten Schichten abhängig ist. Diese starke Abhängigkeit nutzt die Erfindung. Durch Variation des Stickstoff- bzw. Sauerstoffgehalts der so erzeugten Schichten werden erfindungsgemäß die elektrischen Eigenschaften der Schichten eingestellt. Besonders gute bzw. hohe Widerstandswerte weisen solche Schichten auf, die zumindest 4 bis ca. 60 Atom-Prozent Stickstoff enthalten, wobei der dazugehörige Metallanteil zwischen 15 und 50 Atom-Prozent beträgt und die zu 100 Atom-Prozent fehlenden Anteile von zumindest einem der anderen erwähnten Nichtmetalle gebildet werden.
    [0012] Erfindungsgemäße Schichten weisen einen hohen spezifischen Widerstand von bis zu 500C μΩ cm auf. Nach mehrstündiger Temperung bei ca. 450ºC ist nur eine unwesentliche Abnahme dieses Widerstandswerts zu beobachten. Dabei ist der größte Teil der maximal 6 Prozent des Anfangswertes betragenden Widerstandsänderung gleich zu Beginn der thermischen Belastung zu beobachten. Bei weiterer Temperung stabilisiert sich der Widerstand. Ähnlich stabil zeigt sich der Widerstand bei elektrischer Belastung in einem sogenannten step-stress-test. Allerdings ist hier eine relativ höhere Widerstandsänderung zu Beginn der Belastung festzustellen. Diese Stabilität des Widerstands auf hohem Niveau ist ein entscheidender Vorteil der erfindungsgemäßen dünnen Schichten. Für deren Verwendung als Thermowandler in den Druck-kδpfen von Thermodruckern ist diese Eigenschaft unabdingbare Voraussetzung für eine gute Druckqualität. Ein weiterer Vorteil der Erfindung bzw. des Verfahrens ist die gute Reproduzierbarkeit der Schichteigenschaften.
    [0013] Im folgenden wird ein Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus dem Widerstandsmaterial anhand eines Ausführungsbeispiels und zweier Figuren noch näher erläutert.
    [0014] Die Figur 1 zeigt den Aufbau eines Thermodruckkopfes, während
    [0015] in Figur 2 die Widerstandsänderung bei Temperung in Abhängigkeit vom Stickstoffgehalt der Schichten dargestellt ist.
    [0016] Figur 1 zeigt den bekannten Aufbau eines Thermowandlerelements in schematischem Querschnitt. Auf einem Substrat 1, welches zum Beispiel aus einer Keramik bestehen kann, ist eine Wärmeisolationsschicht 2, vorzugsweise aus Glas, aufgebracht. Mit 3 ist eine dünne Schicht aus dem widerstandsmaterial bezeichnet,, welches erfindungsgemäß zum Beispiel aus einem Vierstoffsystem bestehen kann. Darüber sinα die Leiterbahnen 4 aufgebracht. Die zwischen den Leiterbahnen 4 ausgesparte und mit widerstandsmaterial 3 unterlegte Fläche 7 stellt die eigentliche Heizzone des Thermowandlers dar. Bei bekannten Ausführungen ist das Widerstandsmaterial 3 im Bereich dieser Fläche 7 mäanderförmig strukturiert, um einen geringeren Leiterbahnquerschnitt zu erzielen. Bei Verwendung höherohmigen Widerstandsmaterials kann die Heizfläche auch ganzflächig von Widerstandsmaterial 3 bedeckt sein. Ein höherer Leiterbahnquerschnitt wird dann von dem höheren Widerstandswert des Materials ausgeglichen. Zum Schutz der Leiterbahnen 3 und 4 vor drohender Oxidation beim Betrieb des Thermowandlers, welcher zu einer enormen Temperaturerhöhung der Teile im Bereich der Fläche 7 führt, ist eine Oxidationsschutzschicht 5 vorgesehen. Abschließend ist noch eine Abriebschutzschicht 6 aufgebracht, die in einigen Ausführungen mit der Schicht 5 zusammen eine Einheit bilden und zum Beispiel aus gesputtertem Siliziumdioxid bestehen kann.
    [0017] Ausführunqsbeispiel
    [0018] Zur Erprobung der er findungsgemäßeπ Schichten werden Testwafer verwendet, mit dünnen Schichten des erfindungsgemäßen WiderStandsmaterials versehen und anschließend in an sich bekannter Weise zu Thermowandlern (ähnlich wie in Figur 1 dargestellt) weiterverarbeitet. Als Teststruktur wird ein Thermokamm gewählt (= besondere Form eines Thermodruckkopfes) .
    [0019] Das Substrat 1 für die Thermowandlerstrukturen ist ein Siliziumwafer, auf dem zur elektrischen Isolation 2 eine ca. 2 μm starke thermische Oxidschicht erzeugt wird. In einer Magnetronsputteranlage (MRC 903-Aufstäubanlage) wird nun eine dünne Schicht elektrischen Widerstandsmaterials 3 von zum Beispiel 70 nm Dicke erzeugt. Doch ist die erforderliche Schichtdicke vom elektrischen Widerstand der Schicht abhängig und kann zwischen 10 und 125 nm betragen. Dabei dienen gesinterte Mischungen von Titansilizid (10 Gewichtsprozent) und Wolframsilizid (90 Gewichtsprozent) als Target. Doch sind auch vieie andere Mischungen als Targets einsetzbar (zum Beispiel TiB2/WSi2, ZrB2/WSi2 und viele andere mehr). Folgende Sputterbedingungen werden eingestellt:
    [0020] DC-Betrieb mit 0,5 - 1 KW Aufstäubzeit ca. 2 Minuten Sputtergas Argon mit variierenden Stickstoffanteilen
    [0021] Mit Hilfe des Stickstoffanteils in der Sputteratmosphäre wird die Zusammensetzung und damit der spezifische elektrische Widerstand der zu erzeugenden Schicht beeinflußt. Eine ähnliche Wirkung kann durch alternative oder zusätzliche Zugabe von Sauerstoff erzielt werden. In der Tabelle sind die Zusammensetzungen derart erzeugter Schichten in Abhängigkeit vom Stickstoffanteil in der Sputteratmosphäre angegeben.
    [0022]
    a) auf 100 % normiert; b) Genauigkeit ± 0,2 % c) Genauigkeit ± 0,7 % d) Genauigkeit ± 0,3 % e) Genauigkeit ± 0,4 %
    [0023] f) gemessen bei höherem Gesamtgasstrom.
    [0024] Die Wafer werden anschließend in an sich bekannter Weise struk- turiert, mit Leiterbahnen 3 versehen und schließlich mit einer SiO2-Schutzschicht (5, 6) abgedeckt.
    [0025] An den so fertiggestellten Thermowandlerelementen werden anschließend die Schaltungs- und Flächenwiderstände gemessen und der spez sche W ers and best mm , er m Bere ch zwischen 400 μ Ω cm und 5000 μ Ω cm liegt. Die Höhe des Widerstands steigt mit wachsendem Stickstoffgehalt der rtiderstandsscnicht. In einer weiteren Messung wird die Wicerstandsänderung nach Temperaturbelastung bestimmt.
    [0026] Figur 2 gibt die Widerstandsänderung von 3 Schichten wieder, die mit unterschiedlichen Stickstoffgehalten in der Sputteratmosphäre erzeugt wurden. Die Änderung ist dabei in Prozent relativ zum Anfangswert (nach der Strukturierung) angegeben und gegen die Dauer der Temperung (bei 450ºC) in Stunden aufgetragen. Wie leicht zu erkennen ist, fällt der Widerstand zunächst relativ stark ab und nähert sich danach einem konstanten Wert an. Diese Langzeitstabilität ist neben der absoluten Höhe des Widerstands ein entscheidender Vorteil der erfindungsgemäß erzeugten Schichten. Durch eine kurzzeitige Vortemperung der Schichten kann also sofort Langzeitstabilität des elektrischen Widerstands der Schichten erreicht werden.
    [0027] 10 Patentansprüche 2 Figuren
    权利要求:
    ClaimsPatentansprüche
    1. Elektrisches Widerstandsmaterial für eiektrothermische Wandler in Dünnschichttechnik, insbesondere für Druckköpfe von Ther- modruckern, enthaltend hochschmelzende Übergangsmetall/Nichtmetallverbindungen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t daß die durch Kathodenzerstäuben erzeugten Schichten aus vier oder fünf Komponenten bestehen und mindestens zwei Elemente, ausgewählt aus den Übergangsmetallen der vierten bis sechsten Nebengruppe, und mindestens zwei nichtmetallische Elemente der dritten bis fünften Hauptgruppe enthalten.
    2. Widerstandsmaterial nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß es vier Komponenten aufweist, wovon zwei Nichtmetalle sind und aus der Gruppe Silizium, Bor, Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff ausgewählt sind.
    3. Widerstandsmaterial nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß es 4 bis 60 Atom-Prozent Stickstoff enthält und daß der Metallanteil zwischen 15 und 50 Atom-Prozent beträgt.
    4. Widerstandsmaterial nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i ch n e t , daß zumindest ein Metall der vierten Nebeπgruppe (Ti, Zr, Hf) enthalten ist.
    5. Verfahren zum Herstellen der Widerstandsmaterialschichten nach Anspruch 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zumindest die Metallkomponenten durch Sputtern von die Metallkomponenten enthaltenden Targets auf einem Träger abgeschieden werden und zumindest eine der Nichtmetallkomponenten in Form eines dieses Nichtmetall enthaltenden Gases der Sputteratmosphäre beigefügt wird.
    6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Sputteratomosphäre Stickstoff beigemengt wird.
    7. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Sputteratmosphäre Sauerstoff beigemengt wird.
    8. Verfahren nach minαestens einem der Ansprüche 5 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zum Sputtern gesinterte Mischtargets verwendet werden, weiche aus mindestens zwei Ubergangsmetallverbindungen der Gruppe der Silizide, Boride, Carbide und Nitride hergestellt sind.
    9. Verfahren nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein Mischtarget aus Titansilizid/Wolf- ramsilizid verwendet wird.
    10. Verfahren nach Anspruch 5, 6 und 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein Mischtarget verwendet wird, das zu 90 Gewichtsprozent aus Wolframsilizid und zu 10 Gewichtsprozent aus Titansilizid besteht.
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    1989-10-05| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
    1990-07-06| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1989903085 Country of ref document: EP |
    1991-07-24| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1989903085 Country of ref document: EP |
    1994-08-24| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1989903085 Country of ref document: EP |
    优先权:
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